目次（詳細）

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第Ⅳ部　バイポーラ・トランジスタ(BJT)

 

第9章　バイポーラ・トランジスタの静的特性

　9.1　はじめに

　9.2　出力特性(定性的議論)

　9.3　電流利得

　9.4　理想的なBJTのモデル

　　9.4.1　コレクタ係数 M

　　9.4.2　注入効率 γ

　　9.4.3　ベース輸送効率 α T

　9.5　BJTにおける不純物濃度の勾配

　　9.5.1　傾斜ベース・トランジスタ

　　9.5.2　ベース電界の β への影響

　9.6　基本的なEbers-Moll直流モデル

　9.7　BJTにおける電流集中とベース抵抗

　9.8　ベース幅の変調(Early効果)

　9.9　なだれ破壊

　9.10　高水準注入

　9.11　ベース押し出し(Kirk効果)

　9.12　エミッタ - ベース接合における再結合

　9.13　まとめ

　9.14　付録の参考文献リストについて

　9.15　第9章の参考文献

　9.16　復習のポイント

　9.17　練習問題

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第10章　BJTの時間依存特性の解析

　10.1　はじめに

　10.2　Ebers-Moll交流モデル

　10.3　小信号等価回路

　　10.3.1　混成πモデル

　10.4　BJTにおける蓄積電荷容量

　10.5　周波数応答

　　10.5.1　単位電流利得周波数 f T

　　10.5.2　ベース走行時間

　　10.5.3　ベース - コレクタ接合通過時間

　　10.5.4　最大発振周波数

　10.6　高周波トランジスタ

　　10.6.1　ダブル - ポリシリコン自己整合型トランジスタ

　10.7　BJTのスイッチ動作

　　10.7.1　出力のlow-to-high遷移時間

　　10.7.2　Schottkyクランプ・トランジスタ

　　10.7.3　エミッタ結合型論理回路

　10.8　BJTとMOSFETとBiMOS

　　10.8.1　BJTとMOSFETの比較

　　10.8.2　BiMOS

　10.9　まとめ

　10.10　付録の参考文献リストについて

　10.11　第10章の参考文献

　10.12　復習のポイント

　10.13　練習問題

 

補遺4：バイポーラ・デバイス

　S4.1　はじめに

　S4.2　ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ(HBT)

　　S4.2.1　組成勾配を持たないHBT

　　S4.2.2　組成勾配型HBT

　S4.3　Si-BJTとSiGeベース，GaAsベースHBT

　S4.4　サイリスタ(npnp型スイッチ)

　　S4.4.1　４層ダイオードスイッチ

　　S4.4.2　npnpスイッチの２-トランジスタモデル

　S4.5　シリコン制御整流器

　S4.6　CMOS回路における寄生npnpスイッチ

　S4.7　BJTへのSPICEの適用

　　S4.7.1　寄生効果

　　S4.7.2　低電流から中電流の動作領域

　　S4.3.7　大電流領域

　S4.8　SPICEのBJTへの応用例

　S4.9　まとめ

　S4.10　補遺4の参考文献

　S4.11　復習のポイント

　S4.12　練習問題

 

第Ⅴ部　光デバイス

 

第11章　光エレクトロニクスデバイス

　11.1　はじめに

　11.2　光検出器(フォト・ダイオード)

　　11.2.1　一般的な光検出器

　　11.2.2　太陽電池

　　11.2.3　p-i-n (PIN)型光検出器

　　11.2.4　なだれフォト・ダイオード

　11.3　発光ダイオード(LED)

　　11.3.1　順方向バイアス下の接合における自発放射

　　11.3.2　等電性捕獲準位

　　11.3.3　青色LEDと白色LED

　　11.3.4　赤外LED

　11.4　レーザー・ダイオード

　　11.4.1　光学利得

　　11.4.2　自己帰還

　　11.4.3　利得＋帰還＝レーザー

　　11.4.4　レーザーの構造

　　11.4.5　他の半導体レーザー用材料

　11.5　撮像素子(イメージ・センサー)

　　11.5.1　電荷結合撮像素子

　　11.5.2　MOS撮像素子

　11.6　まとめ

　11.7　付録の参考文献リストについて

　11.8　第11章の参考文献

　11.9　復習のポイント

　11.10　練習問題

 

付録A　半導体デバイスの製造

　A.1　はじめに

　A.2　基板の製造

　　A.2.1　原材料

　　A.2.2　結晶成長

　　A.2.3　結晶欠陥

　　A.2.4　エピタキシィ

　A.3　不純物添加

　　A.3.1　不純物の拡散

　　A.3.2　イオン注入(イオン打ち込み)

　A.4　リソグラフィ

　A.5　導電体と絶縁体

　　A.5.1　金属配線

　　A.5.2　多結晶シリコン

　　A.5.3　酸化工程

　　A.5.4　窒化珪素

　A.6　クリーン・ルーム

　A.7　パッケージ

　　A.7.1　導線接続(ワイヤー・ボンディング)

　　A.7.2　外線(リード)

　　A.7.3　フリップ・チップ

　　A.7.4　表面固定型パッケージ

　A.8　まとめ

 

付録B　状態密度と有効質量

　B.1　はじめに

　B.2　１次元自由電子

　B.3　２次元自由電子

　B.4　３次元自由電子

　B.5　周期的な結晶場における擬似自由電子

　B.6　状態密度有効質量

　　B.6.1　例1：K = 0 に単一の最小点を持つ伝導帯

　　B.6.2　例2：K = 0 で2つのバンドが同じ最大点を持つ価電子帯

　　B.6.3　例3：複数の等価な最小点を持つ伝導帯(Si, Ge, GaPなど)

　B.7　伝導有効質量

　　B.7.1　例1：K = 0 に単一の最小点を持つ伝導帯

　　B.7.2　例2：価電子帯の正孔

　　B.7.3　例3：複数の等価な最小点を持つ伝導帯の電子

　　B.7.4　例4：歪みシリコン

　B.8　有効質量のまとめ

 

付録C　定数・単位・元素表

 

付録D　記号一覧・ギリシャ文字

 

付録E　積分公式

 

付録F　有用な式

 

付録G　参考文献リスト

 

訳者あとがき

 

索引

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