目次（詳細）

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第Ⅱ部　ダイオード

 

第5章　理想的なpnホモ接合

　5.1　はじめに

　5.2　理想的なpn接合(定性的議論)

　　5.2.1　理想的なpn接合のエネルギーバンド図

　　5.2.2　pnホモ接合における電流

　5.3　理想的なpnホモ接合(定量的議論)

　　5.3.1　熱平衡状態のエネルギーバンド(段差接合)

　　5.3.2　電圧を印加したときのエネルギーバンド図

　　5.3.3　pnホモ接合における電流-電圧特性

　　5.3.4　逆方向バイアス下の破壊

　5.4　理想的なホモ接合の小信号インピーダンス

　　5.4.1　接合抵抗

　　5.4.2　接合容量

　　5.4.3　蓄積電荷容量

　5.5　過渡的な効果

　　5.5.1　ターン・オフ時の過渡現象

　　5.5.2　ターン・オン時の過渡現象

　5.6　温度の効果

　5.7　まとめ

　　5.7.1　内蔵電圧

　　5.7.2　接合幅

　　5.7.3　接合電流

　　5.7.4　接合破壊

　　5.7.5　容量

　　5.7.6　過渡的な効果

　5.8　付録の参考文献リストについて

　5.9　復習のポイント

　5.10　練習問題

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第6章　一般のダイオード

　6.1　はじめに

　6.2　非段差ホモ接合

　　6.2.1　線形傾斜接合

　　6.2.2　超段差接合

　6.3　半導体ヘテロ接合

　　6.3.1　半導体 - 半導体ヘテロ接合のバンド図

　　6.3.2　表面・界面状態の影響

　　6.3.3　ヘテロ接合における格子不整合の影響

　6.4　金属 - 半導体接合

　　6.4.1　理想的な金属-半導体接合(電子親和力モデル)

　　6.4.2　トンネル誘起分極の影響

　　6.4.3　金属-半導体接合の電流-電圧特性

　　6.4.4　Ohm性(低抵抗)接触

　　6.4.5　ヘテロ接合ダイオードの I - Va 特性

　6.5　理想的でない接合やヘテロ接合の容量

　6.6　まとめ

　6.7　付録の参考文献リストについて

　6.8　第6章の参考文献

　6.9　復習のポイント

　6.10　練習問題

 

補遺2：ダイオードに関する補足

　S2.1　はじめに

　S2.2　誘電緩和時間

　　S2.2.1　多数キャリヤの注入に対する誘電緩和

　　S2.2.2　少数キャリヤの注入に対する誘電緩和

　S2.3　接合容量

　　S2.3.1　理想的な接合(段差接合)の接合容量

　　S2.3.2　不純物濃度が不均一な接合の接合容量

　　S2.3.3　ヴァラクター

　　S2.3.4　短ベース・ダイオードの蓄積電荷容量

　S2.4　Schottkyダイオードにおける2次的効果

　　S2.4.1　Schottky障壁を介したトンネル

　　S2.4.2　鏡像効果によるSchottkyダイオードの障壁の低下

　S2.5　ダイオードのSPICEモデル

　　S2.5.1　SPICEによる模擬的カーヴ・トレース

　　S2.5.2　過渡特性の解析

　S2.6　まとめ

　S2.7　付録の参考文献リストについて

　S2.8　補遺2の参考文献

　S2.9　練習問題

 

第Ⅲ部　電界効果トランジスタ(FET)

 

第7章　MOSFET

　7.1　はじめに

　7.2　MOSFET (定性的議論)

　　7.2.1　MOSキャパシター

　　7.2.2　熱平衡状態におけるMOSFET (定性的議論)

　　7.2.3　ゲート電圧を印加したMOSFET (定性的議論)

　7.3　MOSFET (定量的議論)

　　7.3.1　定数移動度を仮定した長チャネルMOSFETのモデル

　　7.3.2　より現実的な長チャネルモデル：移動度に対する電界の効果

　　7.3.3　直列抵抗

　7.4　長チャネルモデルと実験結果の比較

　7.5　まとめ

　7.6　付録の参考文献リストについて

　7.7　第7章の参考文献

　7.8　復習のポイント

　7.9　練習問題

 

第8章　FETに関する追加的な考察

　8.1　はじめに

　8.2　閾値電圧と低電界移動度の測定

　8.3　閾下領域における漏れ電流

　8.4　相補型MOSFET (CMOS)

　　8.4.1　インバーターの動作

　　8.4.2　CMOSデバイスの電流整合

　8.5　CMOSインバーター回路におけるスイッチ動作

　　8.5.1　負荷容量の効果

　　8.5.2　スイッチ回路における伝播遅延(ゲート遅延)

　　8.5.3　CMOSのスイッチ動作時の貫通電流

　8.6　MOSFETの等価回路

　　8.6.1　小信号等価回路

　　8.6.2　CMOS増幅器

　8.7　電流利得と遮断周波数 f T

　8.8　短チャネル効果

　　8.8.1　実効的なチャネル長の VDS 依存性

　　8.8.2　閾値電圧のドレイン電圧依存性

　8.9　MOSFETのスケーリング(寸法規則)

　8.10　絶縁体上シリコン(SOI)

　8.11　他のFET

　　8.11.1　ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET)

　　8.11.2　MESFET

　　8.11.3　接合型電界効果トランジスタ

　　8.11.4　結晶チャネルFET：定量的議論

　8.12　まとめ

　8.13　付録の参考文献リストについて

　8.14　第8章の参考文献

　8.15　復習のポイント

　8.16　練習問題

 

補遺3：MOSデバイスに関する補足

　S3.1　はじめに

　S3.2　チャネル電荷 Qch に関する注意

　　S3.2.1　空乏領域の厚さの変動がチャネル電荷に及ぼす影響

　　S3.2.2　チャネル電荷 Qch の縦方向電界 ℇ L への依存性

　S3.3　MOSFETの閾値電圧

　　S3.3.1　固定電荷

　　S3.3.2　界面捕獲電荷

　　S3.3.3　空乏領域の結晶電荷

　　S3.3.4　閾値電圧における電荷の効果

　　S3.3.5　平坦バンド電圧

　　S3.3.6　閾値電圧の調整

　　S3.3.7　チャネル量子効果

　S3.4　低電界移動度に関する普遍的な関係式

　S3.5　VT の測定

　S3.6　長チャネルMOSFETの VT と μ l f を求める別の方法

　S3.7　MOSキャパシター

　　S3.7.1　理想的なMOSキャパシター

　　S3.7.2　実際のMOSキャパシターの C - VG 特性

　　S3.7.3　C - VG 測定によるパラメーター解析

　S3.8　MOSキャパシターの混成図

　　S3.8.1　DRAM (動的任意読み書き記憶装置)

　　S3.8.2　電荷結合素子(CCD)

　S3.9　デバイスの劣化

　　S3.9.1　LDD (低濃度ドレイン) - MOSFET

　S3.10　MOSFETの低温動作

　S3.11　SPICEによるMOSFETの特性の計算

　　S3.11.1　MOSFETを対象としたSPICEの使用例

　　S3.11.2　CMOSデジタルインバーターの過渡特性

　S3.12　まとめ

　S3.13　付録の参考文献リストについて

　S3.14　補遺3の参考文献

　S3.15　復習のポイント

　S3.16　練習問題

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索引

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